onsemi NTS4101PT1G
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6
5
5
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-323
SOT-323
SOT-323
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-20 V
-20 V
Continuous Drain Current (ID)
1.37 A
1.5 A
1.5 A
Threshold Voltage
-640 mV
-600 mV
-600 mV
Rds On Max
120 mΩ
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
12 V
12 V
Power Dissipation
329 mW
350 mW
350 mW
Input Capacitance
840 pF
627 pF
627 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiNVF2201NT1G
Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC70 Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC-70
Descrições
Descrições de onsemi NTS4101PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTS4101PT1G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.37 A, 20 V, 3-PIN SOT-23
NTS4101P: Small Signal MOSFET 20V 1.37A 120 mOhm Single P-Channel SC-70
Single P-Channel Power MOSFET -20V, -1.37A, 120mΩ
P-Channel 20 V 83 mOhm 329 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-323
-20 V, -1.37 A, SINGLE P-CHANNEL, SC-70 POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.37A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P, 20V, SOT-323; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.37A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.12ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -640mV; Power
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.37 A
Current Rating-1.37 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance120 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance840 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation329 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation329 mW
Rds On Max120 mΩ
Resistance83 MΩ
Rise Time14.9 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage-640 mV
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade