onsemi MMBF2201NT1G
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6
1
Mount
-
-
Case/Package
SOT-323-3
SOT-323-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
300 mA
300 mA
Threshold Voltage
1.7 V
-
Rds On Max
1 Ω
1 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
150 mW
150 mW
Input Capacitance
45 pF
45 pF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 years ago)
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onsemiNVF2201NT1G
Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC70 Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC-70
Descrições
Descrições de onsemi MMBF2201NT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal MOSFET 20V 300mA 1 Ohm Single N-Channel SC-70
N-Channel 20 V 1 Ohm 150 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-323
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R / MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
20 VOLTS, 300 MILLI AMPS SC-70/SOT-323 N-CHANNEL POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:300mA; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V; Power Dissipation:150mW; No. of Pins:3Pins RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Current Rating300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance45 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation150 mW
Rds On Max1 Ω
Resistance1 Ω
Rise Time2.5 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time2.5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade