onsemi NTMS4916NR2G
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Stock
389,835
343,635
Authorized Distributors
6
6
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30 V
Continuous Drain Current (ID)
7.8 A
10 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9 mΩ
11 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.3 W
1.56 W
Input Capacitance
1.376 nF
1.1 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-18
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTMS4916NR2G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTMS4916NR2G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11.6 A, 30 V, 8-PIN SOIC
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 11.6A, 9.0mΩ
Power MOSFET 30 V 11.4 A N Channel SOIC8
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 8-Pin SOIC N T/R
Nfet So8 30V 11.4A 9Mohm Rohs Compliant: Yes
Small Signal Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 9.4A, SO-8;
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.376 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.98 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.3 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time7.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9.4 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade