onsemi FDS6298
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2005-08-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-31
LTD Date2023-01-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
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InfineonIRF7413ZTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 13A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7413ZPBF
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Descrições
Descrições de onsemi FDS6298 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
N-Channel Fast Switching PowerTrench® MOSFET, 30V
MOSFET, N CH, 30V, 13A, 8SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 13A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.7V; Power
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.108 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance15 MΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time27 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade