onsemi NTHD4102PT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTHD4102PT1G | 42.000 | 3K | 23h | ||||||||
| Newark | NTHD4102PT1G | 5.345 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NTHD4102PT1G | 1.602 | 660 | |||||||||
| Rochester Electronics | NTHD4102PT1G | 1.602 | 20h | |||||||||
| DigiKey | NTHD4102PT1GOSCT-ND | 19.555 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi NTHD4102PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual P-Channel 20 V 64 mOhm 1.1 W Surface Mount Power MOSFET - CASE 1206A
Dual P-Channel ChipFET™ Power MOSFET -20V -4.1A 80mΩ
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 20V 4.1A 8-Pin ChipFET T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R / MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
MOSFET, DUAL P CH, -20V, -2.9A, CHIPFET; Transistor Polarity: Dual P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.9A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -1.5V; Power Dissipation Pd: 1.1W; Transistor Case Style: ChipFET; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
P Channel Mosfet, -20V, 1206A, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:20V; Drain Source Voltage Vds P Channel:20V; Continuous Drain Current Id N Channel:2.9A; Continuous Drain Current Id P Channel:2.9A Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTHD4102PT1G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Tendência de 3 meses: -21.37%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Current Rating-7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance750 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.5 V
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Rds On Max80 mΩ
Resistance64 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.5 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time5.5 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade