onsemi NTHD3100CT1G
$ 0.505
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | NTHD3100CT1GOSCT-ND | 13.504 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | NTHD3100CT1G | 3.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | NTHD3100CT1G | 0 | 50 | Bulk | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | NTHD3100CT1G | 0 | 1 | Bulk | 3h | |||||||
| Avnet | NTHD3100CT1G | 0 | 3K | 16h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -46.96%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi NTHD3100CT1G direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 / Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
Descrições
Descrições de onsemi NTHD3100CT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
N&P-Channel 20 V 80 mOhm 2.3 nC 1.1 W SMT Power Mosfet - ChipFET-8
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 20V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N AND P CH, -20V, -3.9A, CHIPFET; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:-3.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -46.96%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight4.535924 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Current Rating2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time11.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance165 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.1 W
Rds On Max80 mΩ
Rise Time11.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.5 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time6.3 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.05 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade