Vishay SI8817DB-T2-E1
$ 0.212
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI8817DB-T2-E1 | 3.000 | 3K | 3d | ||||||||
| Newark | SI8817DB-T2-E1 | 81 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | SI8817DB-T2-E1 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Verical | SI8817DB-T2-E1 | 3.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SI8817DB-T2-E1CT-ND | 1.319 | 1 | Cut Tape |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -19.31%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI8817DB-T2-E1.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Vishay SI8817DB-T2-E1 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | 3D | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças relacionadas
VishaySI8472DB-T2-E1
780mW(Ta) 8V 900mV@ 250¦ÌA 18nC@ 8 V 1N 20V 44m¦¸@ 1.5A,4.5V 630pF@10V BGA 960¦Ìm*960¦Ìm*260¦Ìm
VishaySI8406DB-T2-E1
VISHAY SI8406DB-T2-E1 MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 20 V, 0.026 ohm, 4.5 V, 400 mV
Descrições
Descrições de Vishay SI8817DB-T2-E1 fornecidas pelos seus distribuidores.
20V 2.1A 500mW 76m´Î@4.5V1A 1V@250Ã×A P Channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 4-Pin Micro Foot T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET -20V 76MOHM@4.5V 2.9A P-CH G-III
500mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 19nC@ 8 V 1P 20V 76m¦¸@ 1A,4.5V 615pF@10V MICROFOOT-4 1.6mm*1.6mm*650¦Ìm
Transistor Polarity:p Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:2.9A; On Resistance Rds(On):0.061Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1V Rohs Compliant: No
Nomes alternativos do fabricante
Vishay possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Vishay também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -19.31%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageBGA
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance615 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation900 mW
Rds On Max76 mΩ
Schedule B8541210080
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Vishay SI8817DB-T2-E1.
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade