onsemi NTD4810NT4G
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Stock
380,057
498,344
Authorized Distributors
2
3
Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vds)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
8.6 A
14.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
10 mΩ
4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2.66 W
Input Capacitance
1.35 nF
4.49 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-02-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2013-01-11
LTD Date2013-07-11
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
Descrições
Descrições de onsemi NTD4810NT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET 30V 54A 10 mOhm Single N-Channel DPAK
MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 54A 10MOHM
Trans MOSFET N-CH 30V 12.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 30V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1.4W(Ta)，50W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 11nC@ 4.5 V 1individualNChannel 30V 10mΩ@ 30A,10V 10.8A 1.35nF@12V TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Current Rating45 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance15.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time20.7 ns
Turn-Off Delay Time21.8 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade