onsemi NTD4809NH-35G
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99,288
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Authorized Distributors
2
2
2
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
TO-251
TO-251
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
2.155 nF
1.456 nF
1.456 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Descrições
Descrições de onsemi NTD4809NH-35G fornecidas pelos seus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 58A 2W 3ns
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 30V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:58A; On Resistance, Rds(on):9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.1V ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance12.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.155 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max9 mΩ
Rise Time18 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade