onsemi NTD4809NT4G
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Mount
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vds)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
9 A
9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
9 mΩ
9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
Input Capacitance
1.456 nF
2.155 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
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Power MOSFET, N Channel, 33 V, 70 A, 10.5 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi NTD4809NT4G fornecidas pelos seus distribuidores.
NTD4809NT4G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 58 A, 30 V, 3-PIN DPAK
Single N-Channel Power MOSFET 30V 58A 9mΩ
1.4W(Ta)，52W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 25nC@ 11.5 V 1individualNChannel 30V 9mΩ@ 30A,10V 9.6A，58A 1.456nF@12V TO-252 SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.38mm
Mosfet, N-Ch, 30V, 58A, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.007Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:11.5V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTD4809NT4G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.456 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation52 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max9 mΩ
Resistance9 MΩ
Rise Time22.7 ns
Turn-Off Delay Time25.3 ns
Turn-On Delay Time12.3 ns
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade