onsemi NJT4030PT3G
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6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
160 MHz
160 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
800 mW
2 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-08-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DJT4030P-13
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Diodes Inc.DMJT9435-13
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 800 mA, 1.2 W, SOT-223, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi NJT4030PT3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
40V 2W 200@1A,1V 3A PNP SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors (BJT); NJT4030PT3G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 4; 40 V; 3 A
NJT4030P Series 40 V 3 A 2 W SMT PNP Silicon Power Transistor - SOT-223
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans, Bipol, Pnp,-40V, Sot223; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:40V; Transition Frequency Ft:100Mhz; Power Dissipation Pd:2W; Dc Collector Current:-3A; Dc Current Gain Hfe:220Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi NJT4030PT3G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height1.75 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade