onsemi NJT4030PT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NJT4030PT1G | 33.000 | 1K | 1d | ||||||||
| Newark | NJT4030PT1G | 820 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NJT4030PT1G | 353 | 38 | |||||||||
| Arrow Electronics | NJT4030PT1G | 353 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | NJT4030PT1G | 34.000 | 1K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-223
SOT-223
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
160 MHz
160 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
2 W
800 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DJT4030P-13
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
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Descrições
Descrições de onsemi NJT4030PT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); NJT4030PT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 40 V; 3 A; 4
NJT Series 40 V 3 A Surface Mount PNP Silicon Power Transistor - SOT-223
Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin
500mV@ 300mA,3A PNP 2W 6V 100nA 40V 40V 3A SOT-223 6.5mm*3.5mm*1.63mm
The combination of low saturation voltage and high gain makes this an ideal device for high speed switching applications where power savings is a concern.
TRANS, BIPOL, PNP,-40V, SOT223; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -40V; Transition Frequency ft: 160MHz; Power Dissipation Pd: 2W; DC Collector Current: -3A; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor
Transistor, Pnp, -40V, -3A, Sot-223-4; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:2W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi NJT4030PT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height1.75 mm
Length6.6802 mm
Width3.7084 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade