onsemi MUN2211T3G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MUN2211T3G | 88.260 | 18988 | |||||||||
| Arrow Electronics | MUN2211T3G | 13 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | MUN2211T3G | 100.000 | 10K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | MUN2211T3G | 108.340 | 3h | |||||||||
| DigiKey | MUN2211T3GOSCT-ND | 7.205 | 1 | Cut Tape |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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5,989,993
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SC
SC
SC
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
230 mW
230 mW
230 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MUN2211T3G fornecidas pelos seus distribuidores.
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mou
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
MUN2211T3G NPN DIGITAL TRANSISTOR, 100 MA 50 V 10 KOHMS, RATIO OF 1, 3-PIN SC-59
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Brt Trans, 50V, 10K/10Kohm, Sc-59; Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:-; Base Emitter Resistor R2:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN2211T3G
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation338 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation230 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.09 mm
Length2.9 mm
Width1.5 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade