onsemi MUN2211T1G
$ 0.048
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MUN2211T1G | 387.000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | MUN2211T1G | 3.286 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MUN2211T1G | 168.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | MUN2211T1G | 1.287 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | MUN2211T1G | 18.000 | 3K | Tape & Reel |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -15.97%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi MUN2211T1G.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi MUN2211T1G direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 0.048
$ 0.035
$ 0.035
Stock
5,969,000
1,658,551
1,658,551
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SC
SC
SC
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
35
35
35
Power Dissipation
230 mW
230 mW
230 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMUN2211T3G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mou
onsemiMUN2213T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiDTC144EET1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC123YUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MUN2211T1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
MUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm NPN Silicon Bias Resistor Transistor - SC-59
MUN2211T1G NPN DIGITAL TRANSISTOR, 100 MA 50 V 10 KOHMS, RATIO OF 1, 3-PIN SC-59
250mV@ 300¦ÌA,10mA NPN - Pre-Biased 338mW 6.0Vdc 500nA 50Vdc 50V 100mA SC-59 2.9mm*1.5mm*1.15mm
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Brt Transistor, 50V, 10K/10Kohm, Sc-59; Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:10Kohm; No. Of Pins:3 Pin Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN2211T1G.
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC-59 package which is designed for low power surface mount applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -15.97%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min35
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation338 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation230 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.09 mm
Length2.9 mm
Width1.5 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para onsemi MUN2211T1G.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade