onsemi MMUN2112LT1G
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6
2
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
-
hFE Min
60
60
Power Dissipation
246 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMMUN2111LT1G
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
onsemiMMUN2115LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA124ECA-7-F
DDTA124CA Series 50 V 100 mA PNP Surface Mount Digital Transistor - SOT-23-3
Diodes Inc.DDTA144WCA-7-F
DDTA144 Series 50 V 30 mA PNP Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23-3
Descrições
Descrições de onsemi MMUN2112LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
MMUN2112LT1G PNP DIGI TRANSISTOR, 100MA 50 V 21 KOHM, RATIO OF 1, 3-PIN SOT-23
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
PNP - Pre-Biased 246mW 100mA 50V SOT-23(SOT-23-3) Digital Transistors ROHS
Transistors Switching - Resistor Biased 100mA 50V BRT PNP
TRANSISTOR, RF, PNP, 50V, SOT-23-3; Digital Transistor Polarity:Single PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:100mA; Base Input Resistor R1:22kohm; Base-Emitter Resistor R2:22kohm; Resistor Ratio, R1 / R2:1(Ratio); RF Transistor Case:SOT-23; No. of Pins:3 Pin; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); No. of Pins:3Pins
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SOT-23 package whi designed for low power surface mount applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min60
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation246 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade