onsemi MMUN2115LT1G
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6
6
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Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
50 V
50 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
250 mV
250 mV
hFE Min
160
160
160
Power Dissipation
246 mW
246 mW
246 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiMMUN2133LT1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
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Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
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Diodes Inc.DDTA113ZCA-7-F
DDTA Series 200 mW 1 KO / 10 KO PNP Pre-Braised Small Signal Transistor - SOT-23
Descrições
Descrições de onsemi MMUN2115LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
MMUN Series 50 V 100 mA 10 kOhm PNP Silicon Bias Resistor Transistor - SOT-23
PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
PNP - Pre-Biased 400mW 100mA 50V SOT-23(SOT-23-3) Digital Transistors ROHS
Digital Transistor PNP 100mA R=10K SOT23
100 mA 50 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-236AB
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Brt Transistor, 50V, 10Kohm, Sot-23, Full Reel; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:50V; Frecuencia De Transición Ft:-; Disipación De Potencia Pd:246Mw; Corriente De Colector Dc:100Ma; Núm. De Contactos:3 |Onsemi MMUN2115LT1G
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SOT-23 package whi designed for low power surface mount applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min160
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 mA
Max Power Dissipation400 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Operating Supply Voltage50 V
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation246 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)-50 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade