onsemi MMBTA42LT1G
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Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT
SOT
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
300 V
300 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
-
360 mW
360 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi MMBTA42LT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Surface Mount
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, HIGH VOLTAGE, VCEO 300VDC, IC 50MA, PD 225MW, SOT-23
300V 225mW 40@30mA,10V 500mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANS NPN 300V 0.5A SOT23 / Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Trans Bjt Single, Npn, 300V, 500Ma; |Onsemi MMBTA42LT1G.
MMBTA42L: Small Signal, High Voltage NPN Transistor
onsemi NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current500 mA, maximum collector-emission voltage300 V
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V; Transition Frequency ft: 50MHz; Power Dissipation Pd: 225mW; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 50hFE; Transistor Case
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage300 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency50 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Schedule B8541210080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)300 V
Dimensions
Height1.016 mm
Length3.0226 mm
Width1.397 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade