onsemi MMBT3906SL
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6
6
Mount
Surface Mount
-
-
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-
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
-40 V
-40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-250 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
227 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2008-02-19
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2019-10-31
LTD Date2020-10-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
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MMDT3906 Series Dual PNP 40 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363
Descrições
Descrições de onsemi MMBT3906SL fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTVU6M5P;
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 227mW 3-Pin SOT-1123 T/R
TRANSISTOR, PNP, 40V, 200MA, SOT923-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -40V; Transition Frequency ft: 250MHz; Power Dissipation Pd: 227mW; DC Collector Current: -200mA; DC Current Gain hFE: 30hFE;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight22 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation227 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation227 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height380 µm
Length850 µm
Width650 µm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade