onsemi MMBT3906
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | MMBT3906 | 365.604 | 16h | |||||||||
| Farnell | MMBT3906 | 0 | 5 | Cut Tape | 11h | |||||||
| element14 APAC | MMBT3906 | 0 | 5 | Cut Tape | 6h | |||||||
| Component Stockers USA | MMBT3906 | 343.449 | >1wk | |||||||||
| Win Source | WS-MMBT3906 | 300.000 | 1770 | 17h |
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3
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
350 mW
300 mW
300 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MMBT3906 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
MMBT3906 Series 40 V 0.2 A 350 mW PNP General Purpose Amplifier - SOT-23
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA.
TRANSISTOR, PNP SOT-23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Continuous Collector Current Ic
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:250MHz; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:300; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:-250mV; Continuous Collector Current Ic Max:200mA; Current Ic Continuous a Max:200mA; Current Ic hFE:10mA; Device Marking:BT3906; Gain Bandwidth ft Min:250MHz; Gain Bandwidth ft Typ:250MHz; Hfe Min:100; No. of Transistors:1; Noise Factor Max:4dB; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:2A; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:40V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency250 MHz
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency250 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency250 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length6.35 mm
Width6.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade