onsemi MMBT2222AWT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | MMBT2222AWT1G | 248 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | MMBT2222AWT1G | 25.714 | 443 | |||||||||
| Arrow Electronics | MMBT2222AWT1G | 25.714 | 1 | |||||||||
| Future Electronics | MMBT2222AWT1G | 36.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Master Electronics | MMBT2222AWT1G | 84.000 | 3K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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8,250,688
8,250,688
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SC
SOT-323
SOT-323
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
1 V
hFE Min
40
40
40
Power Dissipation
150 mW
200 mW
200 mW
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-06-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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ON SEMI MBT3946DW1T1G DUAL NPN+PNP RF BIPOLAR TRANSISTOR,0.2 A,40V,6-PIN SC-88
onsemiMBT3946DW1T2G
ON SEMI MBT3946DW1T2G DUAL NPN+PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 40 V, 6-PIN SC-88
NXP SemiconductorsBC847AT,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, 110
ROHM2SCR523UBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MMBT2222AWT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); MMBT2222AWT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 40 V; 600 mA
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-323, Surface Mount
ON SEMI MMBT2222AWT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.6 A, 40 V, 3-PIN SC-70
MMBT Series 40 V 600 mA 150 mW SMT General Purpose Transistor - SC-70-3
The MMBT222AW transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-323/SC-70 package which is designed for low power surface mount applications.
Bipolar Transistor, Npn, 40V; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:150Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:300Mhz Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2222AWT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)75 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating28 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade