onsemi MBT3946DW1T2G
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6
6
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Mount
-
-
-
Case/Package
SC
SC
SC
Polarity
NPN, PNP
NPN, PNP
NPN, PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
150 mW
150 mW
150 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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ON SEMI MBT6429DW1T1G DUAL NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 45 V, 6-PIN SC-88
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Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 1mA 6V 150mA 150mW 100MHz
NXP Semiconductors2PA1774R,135
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi MBT3946DW1T2G fornecidas pelos seus distribuidores.
ON SEMI MBT3946DW1T2G DUAL NPN+PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 40 V, 6-PIN SC-88
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
MBT3946DW1T2G Series NPN/PNP 40 V 200 mA General Purpose Transistor - SOT-363
General Purpose Transistors NPN+PNP Ic=±200mA Vceo=±40V hfe=100~300 P=150mW SOT-363
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 150mW 6-Pin SC-88 T/R
TRANSISTOR ARRAY, NPN/PNP, 40V, SC-88; Transistor Polarity: NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Power Dissipation Pd: 150mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 100hFE; Transistor Case Style: SC-88
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSC
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade