onsemi KSH44H11ITU
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440,276
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2
6
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
TO-251
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
8 A
8 A
Transition Frequency
50 MHz
50 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
1 V
hFE Min
40
40
Power Dissipation
1.75 W
1.75 W
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
onsemi2SC5706-P-E
Bulk Through Hole NPN ROHS3Compliant Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 2V 1muA ICBO 800mW 400MHz
Descrições
Descrições de onsemi KSH44H11ITU fornecidas pelos seus distribuidores.
NPN 1.75 W 80 V 8 A Surface Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Designed for general-purpose power and switching, such as output or driver stages in applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight343.08 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency50 MHz
Gain Bandwidth Product50 MHz
hFE Min40
Max Collector Current8 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height9.85 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade