onsemi MJD44H11-1G
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Tendência de 3 meses: -10.27%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1995-08-31
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de onsemi MJD44H11-1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD44H11-1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 4; 80 V; 8 A
8 A, 80 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD44H11 Series 80 V 8 A 1.75 W NPN Complementary Power Transistor - IPAK-3
80V 1.75W 40@4A,1V 8A NPN TO-251(IPAK) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
...for general purpose power and switching such as output or driver stag applications such as switching regulators converters and power amplifiers.
TRANSISTOR, NPN, 80V, 8A, TO-252; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 85MHz; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 8A; DC Current Gain hFE: 60hFE; Transistor C
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -10.27%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)5 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating8 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency85 MHz
Gain Bandwidth Product85 MHz
hFE Min40
Max Collector Current8 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1.75 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency50 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade