onsemi HUF76609D3ST
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131,950
Authorized Distributors
4
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
10 A
10 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
160 mΩ
160 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
Power Dissipation
49 W
49 W
Input Capacitance
425 pF
425 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN10H170SK3-13
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.5A; 0.16ohm; 17W; -55+150 deg.C; SMD; TO252(DPAK)
InfineonIRLR120NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRLR120NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
InfineonIRLR120NTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.185Ohm;ID 10A;D-Pak (TO-252AA);PD 48W
Descrições
Descrições de onsemi HUF76609D3ST fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 100V, 10A, 165mΩ
N-Channel 100 V 0.16 O Surface Mount Logic Level UltraFET Power Mosfet-TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R
Avnet Japan
MOSFETs 10a,100V, 0.165 Ohm 1Ch HS Logic Gate
PWR MOS 100V/11A/0.178 OHM N-CH LOGIC LVL TO-252AA T&R
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance168 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time28 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance425 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation49 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation49 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time41 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.517 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade