onsemi FQD5N15TM
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-252-3
TO-252-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
4.3 A
4.3 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
800 mΩ
800 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
230 pF
230 pF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-05-25
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FQD5N15TM fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 150 V, 4.3 A, 800 mΩ, DPAK
FQD5N15 Series 150 V 4.3 A 800 mOhm N-Channel QFET® MOSFET - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.3 A
Current Rating4 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance230 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade