onsemi FQB34P10TM-F085
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
33.5 A
33.5 A
Threshold Voltage
-
4 V
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
25 V
Power Dissipation
3.75 W
3.75 W
Input Capacitance
2.91 nF
2.91 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2022-10-21
LTD Date2023-10-21
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MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
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MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
Descrições
Descrições de onsemi FQB34P10TM-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 100V 33.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 110 nC 3.75 W DMOS SMT Mosfet - TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 33.5A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild´s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as audio amplifier, high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)33.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.91 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation155 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.75 W
Rds On Max60 mΩ
Rise Time250 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time160 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Dimensions
Height5.08 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade