Infineon IRF5210STRLPBF
$ 1.625
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF5210STRLPBF | 72.000 | 800 | 23h | ||||||||
| Newark | IRF5210STRLPBF | 21.031 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Rutronik | TMOSP11801 | 3.200 | 800 | 4h | ||||||||
| DigiKey | IRF5210STRLPBFCT-ND | 5.414 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF5210STRLPBF | 69 | 1 | Bulk | 10h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +64.11%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRF5210STRLPBF direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | Baixar | |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 1.625
$ 3.575
Stock
991,483
88,720
Authorized Distributors
6
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
TO-263-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
-100 V
-100 V
Continuous Drain Current (ID)
38 A
38 A
Threshold Voltage
-4 V
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.1 W
170 W
Input Capacitance
2.78 nF
2.78 nF
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-08-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF540NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
InfineonIRF540NSTRLPBF
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
InfineonIRF540NSTRRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;D2Pak;PD 130W;VGS +/-20
onsemiFQB33N10TM
Transistor MOSFET N Channel 100 Volt 33 Amp 3-Pin 2+ Tab D2pak Tape And Reel
STMicroelectronicsSTB30NF10T4
N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET
Descrições
Descrições de Infineon IRF5210STRLPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 60 Milliohms;ID -38A;D2Pak;PD 170W;-55degc
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin (2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-40A; On Resistance, Rds(on):60mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 38 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 60 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 55 / Rise Time ns = 63 / Turn-OFF Delay Time ns = 72 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 170
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +64.11%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.78 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity800
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time63 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time72 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade