onsemi FMB3906
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
PanasonicDMG204010R
DMG204010R Dual NPN+PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 50 V; 6-Pin Mini6 G4 B
PanasonicDMA204010R
TRANSISTOR, PNP, -50V, -100mA, MINI6-G4-B; Transistor Polarity:PNP; Collector Em
Descrições
Descrições de onsemi FMB3906 fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors (BJT); FMB3906; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 6; -40 V; -200 mA
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents of 10 µA to 100 mA. Sourced from Process 66.
TRANS, PNP, -40V, -0.2A, 150DEG C, 0.7W; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Power Dissipation Pd:700mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:60hFE; Transistor Case Style:SuperSO
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -1.20%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation700 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade