onsemi FMB3946
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
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NPN 50 V 100 mA 300 mW Surface Mount Silicon Epitaxial Planar Transistor-SC-74
Descrições
Descrições de onsemi FMB3946 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.2A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
NPN/PNP 40 V 200 mA 700 mW SMT General Purpose Amplifier - SSOT-6
250mV@ 1mA,10mA NPN,PNP 700mW 5V 50nA 40V 40V 200mA SOT-23 3mm*1.7mm*1mm
NPN & PNP General Purpose Amplifier
Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN & PNP; Power Dissipation, Pd:0.7W; DC Current Gain Min (hfe):30; Package/Case:SuperSOT-6; C-E Breakdown Voltage:40V; DC Collector Current:200A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
This complementary device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch, The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and 100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23 and 66. See FFB3904 (NPN) and FFB3906 (PNP) for characteristics.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -2.58%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation700 mW
Schedule B8541290080
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade