onsemi FMB200
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
PanasonicDMG264H00R
SC,COMPOSITE TRANSISTOR / PNP + NPN DUAL, FOR DIGITAL CIRCUITS, VCEO:-50V/50V, IC:-500MA/100MA
PanasonicDMG264120R
SC,Composite Transistor PNP + NPN Dual, For Digital circuits, VCEO:50V, IC:500mA
Descrições
Descrições de onsemi FMB200 fornecidas pelos seus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 45V 0.5A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300 mA. Sourced from Process 68.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current500 mA
Max Frequency300 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PolarityPNP
Power Dissipation700 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade