onsemi FJX2907ATF
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2
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-323
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
-60 V
-60 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-1.6 V
-400 mV
-400 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
325 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2000-12-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 11 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 11 hours ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMST2907A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTB142TU-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de onsemi FJX2907ATF fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 325mW 3-Pin SC-70 T/R
FJX2907ATF, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS;
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation325 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade