onsemi MMBT2907ALT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBT2907ALT1G | 381.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | MMBT2907ALT1G | 33.599 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBT2907ALT1G | 19.536 | 1 | |||||||||
| Verical | MMBT2907ALT1G | 2.781.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | MMBT2907ALT1G | 159.000 | 3K | Tape & Reel |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-60 V
-60 V
-60 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-400 mV
-400 mV
-400 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
225 mW
225 mW
225 mW
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DDTA114YCA-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.DDTA144WCA-7-F
DDTA144 Series 50 V 30 mA PNP Pre-Biased Small Signal Transistor - SOT-23-3
Descrições
Descrições de onsemi MMBT2907ALT1G fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, GENERAL PURPOSE, VCEO -60VDC, IC -600MA, PD 225MW, HFE 50
Bipolar Transistors (BJT); MMBT2907ALT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 60 V; 600 mA
60V 300mW 100@150mA,10V 600mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans General Purpose BJT PNP 60 Volt 1.2A 3-Pin SOT-23 Tape and Reel
ON Semiconductor MMBT2907ALT1G Transistor PNP 60V 0.6A Tape Full reel
General Purpose Transistors PNP VCEO=60V VEBO=5V IC=600mA SOT23
TRANSISTOR, PNP, -60V, -600MA, SOT-23-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: -600mA; DC Current Gain hFE: 50hF
Bipolar Transistor, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:200Mhzrohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT2907ALT1G.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
TypeGeneral Purpose
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade