onsemi FGH15T120SMD-F155
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-07-22
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRG4PH40KDPBF
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTGW15H120DF2
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Descrições
Descrições de onsemi FGH15T120SMD-F155 fornecidas pelos seus distribuidores.
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
IGBT, 1.2KV, 30A, 175DEG C, 333W; Available until stocks are exhausted
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AB
IGBT, 1200V, 15A, Field Stop Trench
333W 1.9V 2.4V@ 15V,15A 30A TO-247-3 15.87mm*4.82mm*20.82mm
RAIL/1200V 15A FS2 Trench IGBT
晶体管, IGBT, 1.2KV, 30A, 175度 C, 333W;
IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Using innovative field stop trench IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop trench IGBTs offer the optimum performance for hard switching application such as solar inverter, UPS, welder and PFC applications.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.39 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current30 A
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current30 A
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation333 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation333 W
Reverse Recovery Time72 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time490 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Dimensions
Height24.75 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade