STMicroelectronics STGW15H120DF2
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Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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IGBT 1200V 30A 180W TO247AC IGBT Trench 1200 V 30 A 180 W Through Hole TO-247AC
InfineonIRG8P15N120KDPBF
IGBT 1200V 30A 125W TO-247AC IGBT 1200 V 30 A 125 W Through Hole TO-247AC
Descrições
Descrições de STMicroelectronics STGW15H120DF2 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Very fast recovery antiparallel diode | IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
259W 2.1V Freestanding 2.6V@ 15V,15A 30A TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm(height)
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Igbt |Stmicroelectronics STGW15H120DF2
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IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Nomes alternativos do fabricante
STMicroelectronics possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. STMicroelectronics também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -6.35%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Weight38.000013 g
Technical
Collector Base Breakdown Voltage (VCES)1.2 kV
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Forward Current15 A
Forward Voltage3.5 V
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation259 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time231 ns
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