Infineon IRG4PH40KDPBF
$ 10.9
Obsolete
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon IRG4PH40KDPBF direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-06-30
LTD Date2020-12-31
Peças relacionadas
onsemiFGH15T120SMD-F155
IGBT 1200V 30A 333W TO247-3 / Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
LittelfuseIXDH20N120D1
IXDH20N120D1 Series 1200 V 38 A N-Channel High Voltage IGBT - TO-247AD
Descrições
Descrições de Infineon IRG4PH40KDPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package, TO247COPAK-3, RoHS
Infineon SCT
IRG4PH40KDPBF Series 1200 V 15 A N-Channel UltraFast IGBT - TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 2.74 V Current release time: 220 ns Power dissipation: 160 W
SINGLE IGBT, 1.2KV, 30A; Transistor Type; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:30A; Collector Emitter Voltage Vces:3.4V; Power Dissipation Pd:160W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Ic Continuous a Max:30A; Current Temperature:25°C; Fall Time Max:330ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247; Power Dissipation Max:160W; Power Dissipation Pd:160W; Power Dissipation Pd:160W; Pulsed Current Icm:60A; Rise Time:31ns; Short Circuit Withstand Time Min:10µs; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage3.4 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current30 A
Current Rating30 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time330 ns
Max Collector Current30 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation160 W
Reverse Recovery Time63 ns
Rise Time31 ns
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height20.3 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade