onsemi FDS8880
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-18
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDS8880 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR, SINGLE, N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, 30V, 11.6A, SOIC8
N-Channel 30 V 10 mO Surface Mount PowerTrench® Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 11.6A, 10mΩ
MOSFET, N CH, 30V, 11.6A, 8SOIC; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11.6A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0079ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and fast switching speed.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11.6 A
Current Rating11.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max10 mΩ
Resistance10 MΩ
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage2.5 V
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade