onsemi FDS8817NZ
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2021-10-08
LTD Date2022-04-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descrições
Descrições de onsemi FDS8817NZ fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 7 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 15A, 7.0mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SOIC N T/R
N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC; Transi; N CHANNEL MOSFET, 30V, 15A, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:15A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V
This N–Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -91.81%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade