onsemi FDS6670A
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2026-01-01
LTD Date2026-07-01
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
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N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
Descrições
Descrições de onsemi FDS6670A fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 13A, 8mΩ
SINGLE N-CHANNEL, LOGIC LEVEL, POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Current Rating13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.22 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1 W
Rds On Max8 mΩ
Resistance8 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade