onsemi FDS8433A
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FDS8433A | 5.000 | 3334 | 22h | ||||||||
| Flip Electronics | FDS8433A | 5.000 | 4d | |||||||||
| Microchip USA | FDS8433A | 2.319 | 3500 | Bulk | 5d | |||||||
| Win Source | WS-FDS8433A | 88.307 | 185 | 21h | ||||||||
| ICPartonline | FDS8433A | 21.413 | >1wk |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2021-02-12
LTD Date2021-08-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7204TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -5.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7204PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -5.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Descrições
Descrições de onsemi FDS8433A fornecidas pelos seus distribuidores.
Single P-Channel 20 V 47 mOhm 2.5V Specified Mosfet - SOIC-8
P-Channel MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -5A, 47mΩ
2.5W(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 28nC@ 5V 1P 20V 47m¦¸@ 5A,4.5V 5A 1.13nF@10V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin SOIC N T/R
MOSFET, P, SO-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:5A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:2.5W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-5A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:50A; SMD Marking:FDS8433A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:-20V; Voltage Vgs Max:-8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage Vgs th Max:-1V
This P-Channel enhancement mode power field effect transistors is produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density processis especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating-5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time90 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.13 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max47 mΩ
Resistance47 MΩ
Rise Time23 ns
Threshold Voltage-600 mV
Turn-Off Delay Time260 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade