Infineon IRF7204TRPBF
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Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IRF7204TRPBF | 1 | 1 | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7204TRPBF | 0 | 20 | Bulk | 7h | |||||||
| Farnell | IRF7204TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 18h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7204TRPBF | 6.360 | 35 | 19h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF7204TRPBF | 18.141 | 7 | Tape & Reel | 18h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-10-15
LTD Date2023-04-15
Peças relacionadas
InfineonIRF7204PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -5.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
InfineonIRF7307PBF
Dual N/P-Channel 20 V 0.05/0.09 Ohm 20/22 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Infineon IRF7204TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -20V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -5.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC T/R / MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
Single P-Channel 20 V 0.1 Ohm 25 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
2.5W(Tc) 12V 2.5V@ 250¦ÌA 25nC@ 10 V 1P 20V 60m¦¸@ 5.3A,10V 5.3A 860pF@10V SOIC-8 1.75mm
IRF7204TRPBF,MOSFET, P-CHANNEL , -20V, -5.3A, 60 MOHM, 25 NC
-20V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS
Infineon SCT
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current, Id:-5.3A; On Resistance, Rds(on):100mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Package/Case:8-SO; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 5.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 60 / Gate-Source Voltage V = 12 / Fall Time ns = 68 / Rise Time ns = 26 / Turn-OFF Delay Time ns = 100 / Turn-ON Delay Time ns = 14 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Current Rating-5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time68 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance860 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance60 mΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.5 V
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade