onsemi FDS9431A-F085
Obsolete
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-02-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2020-01-16
LTD Date2020-07-16
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDS9431A-F085 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A Automotive 8-Pin SOIC T/R
P-Channel MOSFET, 2.5V Specified, -20V, -3.5A, 130mΩ
2.5W(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 8.5nC@ 4.5 V 1P 20V 130m¦¸@ 3.5A,4.5V 3.5A 405pF@10V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TAPE REEL / SO8, SINGLE, PCH, 20V
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +0.00%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight230.4 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance405 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max130 mΩ
Rise Time20 ns
Turn-Off Delay Time31 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade