Infineon IRF8707GTRPBF
$ 0.349
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8707GTRPBF | 0 | 25 | Bulk | 19h | |||||||
| Farnell | IRF8707GTRPBF | 0 | 5 | Cut Tape | 1h | |||||||
| Win Source | WS-IRF8707GTRPBF | 12.700 | 355 | 3h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF8707GTRPBF | 17.557 | 7 | Tape & Reel | 1d | |||||||
| ICPartonline | IRF8707GTRPBF | 27.546 | 4d |
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Peças alternativas
Esta peça
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Price @ 1000
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Stock
361,562
1,871,430
Authorized Distributors
2
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SO
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
11 A
Threshold Voltage
1.8 V
1.8 V
Rds On Max
11.9 mΩ
11.9 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
760 pF
760 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon IRF8707GTRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 11A, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Contin
MOSFET, 30V, 11A, 11.9 MOHM, 6.2 NC QG, SO-8, HALOGEN-FREE
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
MOSFET, N-CH, 30V, 11A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 11A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0093ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.8V; Pow
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance760 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11.9 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max11.9 mΩ
Rise Time7.9 ns
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time7.3 ns
Turn-On Delay Time6.7 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade