onsemi FDS6681Z
$ 1.085
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -52.15%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de onsemi FDS6681Z direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Peças alternativas
Esta peça
Peças alternativas
Price @ 1000
$ 1.085
$ 1.166
Stock
797,970
892,579
Authorized Distributors
6
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
20 A
20 A
Threshold Voltage
-1.8 V
-1.8 V
Rds On Max
4.6 mΩ
4.6 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
20 V
Power Dissipation
1 W
2.5 W
Input Capacitance
7.54 nF
5.25 nF
Cadeia de suprimentos
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF7832PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descrições
Descrições de onsemi FDS6681Z fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 30 V 4.6 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, -20A, 4.6mΩ
ON SEMICONDUCTOR - FDS6681Z - MOSFET Transistor, P Channel, -20 A, -30 V, 0.0038 ohm, -10 V, -1.8 V
30 VOLT P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance.This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -52.15%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
1 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)20 A
Current Rating-20 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance4.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time380 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance7.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1 W
Rds On Max4.6 mΩ
Resistance4.6 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time660 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade