onsemi FDS4435BZ
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG4435SSS-13
P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Descrições
Descrições de onsemi FDS4435BZ fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ
P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
MOSFET-P-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor
ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
This P–Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 A
Current Rating-8.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.845 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade