Diodes Inc. DMG4435SSS-13
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2022-03-02
LTD Date2022-09-02
Peças relacionadas
VishaySI4435DDY-T1-GE3
Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
InfineonSI4435DYTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.015Ohm;ID -8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMG4435SSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
Trans MOSFET P-CH 30V 7.3A Automotive 8-Pin SO T/R
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
P-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
XSTR MOSFET P-CH 30V 7.3A 1.3W S0-
Mosfet, P-Ch, -30V, Soic-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.3A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(On):0.013Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:-20V; Threshold Voltage Vgs:-1.7V; Power Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4435SSS-13
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.614 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance20 mΩ
Rise Time12.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1.7 V
Turn-Off Delay Time44.9 ns
Turn-On Delay Time8.6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade