Infineon IRF7416TRPBF
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | IRF7416TRPBF | 12.000 | 4K | 3d | ||||||||
| Newark | IRF7416TRPBF | 520 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IRF7416TRPBF | 16.000 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IRF7416TRPBF | 73.532 | 1 | |||||||||
| DigiKey | IRF7416TRPBFCT-ND | 2.497 | 1 | Cut Tape |
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Country of OriginMainland China, Malaysia, Philippines, Taiwan, Thailand, Usa
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-06-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
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Descrições
Descrições de Infineon IRF7416TRPBF fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
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2.5W(Ta) 20V 1V@ 250¦ÌA 92nC@ 10 V 1P 30V 20m¦¸@ 5.6A,10V 10A 1.7nF@25V SOIC-8 1.75mm
30V 10A 20m¦¸@10V,5.6A 2.5W 2.04V@250¦ÌA P Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
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The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
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Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating-10 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-20 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 mΩ
Rise Time49 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-2.04 V
Turn-Off Delay Time59 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Row Spacing6.3 mm
Width3.9878 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade