onsemi FDMS86520L
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDMS86520L fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN / Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 22A, 8.2mΩ
FDMS86520L Series 60 V 22 A 8.2 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - Power 56
N-Ch MOSFET 60V 13.5A 22A RDS(ON)=8.2mΩ@13.5A,10V Qg=63nC@10V Coss=4.615nF@30V Ta=2.5W Tc=69W 20V 3V@250µA QFN SMD 6mm × 5mm × 1.1mm
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 60V, 0.0082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N CH, 60V, 22A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0067ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:69W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight74 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance8.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.615 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max8.2 mΩ
Rise Time5.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade