onsemi FDMS86500L
$ 1.39
Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | FDMS86500L | 456.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | FDMS86500L | 24.000 | 3K | 12h | ||||||||
| Newark | FDMS86500L | 2.540 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | FDMS86500L | 9.425 | 50 | |||||||||
| Arrow Electronics | FDMS86500L | 3.000 | 3K |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
onsemiFDMS86520L
MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN / Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
VishayIRF9630STRLPBF
Power MOSFET, P Channel, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Descrições
Descrições de onsemi FDMS86500L fornecidas pelos seus distribuidores.
FDMS86500L Series 60 V 158 A 2.5 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - POWER-56
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 158A, 2.5mΩ
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low RDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
MOSFET, N CH, 60V, 80A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:80A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance2.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance12.53 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max2.5 mΩ
Resistance2.5 MΩ
Rise Time16 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.8 V
Turn-Off Delay Time63 ns
Turn-On Delay Time27 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade