onsemi FDMS86300
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Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-08-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Peças relacionadas
InfineonIRFR3518PBF
80V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTB55NF06T4
N-Channel 60V - 0.017Ohm - 50A - D2PAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Descrições
Descrições de onsemi FDMS86300 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 80V 19A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 80V 19A POWER56
Single N-Channel 80 V 5.8 mOhm 86 nC 104 W PowerTrench SMT Mosfet - POWER 56-8
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 42 A, 0.0032 ohm, Power 56, Surface Mount
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 122A, 3.9mΩ
Power Field-Effect Transistor, 122A I(D), 80V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, N CH, 150V, 42A, POWER56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.4V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:Power 56; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.082 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.4 V
Number of Elements1
Power Dissipation104 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time26 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.4 V
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time31 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade