onsemi FDD16AN08A0
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | FDD16AN08A0 | 3.693 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | FDD16AN08A0CT-ND | 4.060 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Onlinecomponents.com | FDD16AN08A0 | 0 | 25 | Bulk | ||||||||
| Avnet | FDD16AN08A0 | 0 | 2500 | 1d | ||||||||
| Future Electronics | FDD16AN08A0 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
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Ficha técnica oficial2 anos atrás
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2002-05-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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InfineonIRFR2307ZPBF
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InfineonIRFR2405PBF
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onsemiFDD10AN06A0
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Descrições
Descrições de onsemi FDD16AN08A0 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 75 V 50 A 16 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet TO-252AA
75V, 50A, 16 m ohm, NCH ULTRAFET TRENCH MOSFET
75 V, 50 A, 16 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 75V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 75V, 50A, TO-252AA-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 50A; Drain Source Voltage Vds: 75V; On Resistance Rds(on): 0.013ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 135W; Transistor Case Style: TO-252AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating50 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.874 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation135 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation135 W
Rds On Max16 mΩ
Resistance16 MΩ
Rise Time54 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade